Dysk SSD HIKSEMI FUTUREX 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7050/4200 MB/s) 3D TLC HS
Symbol:
HS-SSD-FUTUREX(STD)/512G/PCIE4/WW
Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
Cena przesyłki | 12.99 |
Dostępność | Średnia dostępność 21 szt. |
Kod kreskowy | |
EAN | 6974202728618 |
Zamówienie telefoniczne: 726 918 285
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 512 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 7050 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4200 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 900.0
Odczyt losowy: 710000 IOPS
Zapis losowy: 640000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 3.66 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Wersja z radiatorem, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta: 60
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 7050 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4200 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 900.0
Odczyt losowy: 710000 IOPS
Zapis losowy: 640000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 3.66 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Wersja z radiatorem, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta: 60
Gwarancja producenta | 60 |
Interfejs | M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe |
Typ dysku | SSD |
Pojemność dysku | 512 GB |
Kolor obudowy | Czarny (Black) |
Format dysku | M.2 2280 |
Technika zapisywania danych | TLC |
Prędkość odczytu (max) | 7050 MB/s |
Prędkość zapisu (max) | 4200 MB/s |
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 2000000 h |
TBW (ang. Total Bytes Written) | 900.0 |
Odczyt losowy | 710000 IOPS |
Zapis losowy | 640000 IOPS |
Typ kości pamięci | 3D NAND |